Winbond Đẩy Nhanh Tiến Độ Mở Rộng Nhà Máy Kaohsiung Nhằm Đáp Ứng Nhu Cầu Bộ Nhớ AI
Winbond đang gộp hai giai đoạn mở rộng nhà máy Kaohsiung Luzhu thành một dự án tăng tốc duy nhất (Module B) để đáp ứng nhu cầu dài hạn từ AI. Cơ sở mở rộng này sẽ hỗ trợ các quy trình sản xuất bộ nhớ tiên tiến phân khúc 14nm và 12nm, công nghệ quang khắc EUV và các giải pháp bộ nhớ tùy chỉnh. Sự tăng tốc này làm nổi bật nhu cầu ngày càng tăng đối với DRAM ngách và các công nghệ đóng gói tiên tiến được thúc đẩy bởi các ứng dụng AI biên (edge AI). Bằng cách tích hợp EUV và công nghệ liên kết tiên tiến, Winbond đặt mục tiêu củng cố vị thế của mình trong chuỗi cung ứng phần cứng AI thế hệ tiếp theo. Việc xây dựng phòng sạch cho Module B dự kiến bắt đầu vào năm 2027, và quá trình lắp đặt thiết bị sẽ khởi động sớm nhất vào đầu năm 2029. Dự án mở rộng sẽ tập trung vào DRAM tiêu chuẩn, tụ điện silicon, liên kết Wafer-on-Wafer (WoW) và các giải pháp bộ nhớ CUBE (Customized Ultra Bandwidth Element) độc quyền của Winbond.
## KIẾN THỨC NỀN
DRAM ngách (niche DRAM) là loại bộ nhớ chuyên dụng được sử dụng trong điện tử tiêu dùng, ô tô và các thiết bị AI biên, thay vì máy tính cá nhân hoặc máy chủ thông thường. Công nghệ CUBE của Winbond là một kiến trúc bộ nhớ 3D được thiết kế cho AI biên, sử dụng công nghệ xuyên qua lỗ silicon (TSV) và liên kết lai (hybrid bonding) để đạt băng thông cao và tiêu thụ điện năng thấp.