TrendForce dự báo giá hợp đồng DRAM và NAND Flash tăng 15–20% trong quý 4/2026
TrendForce dự báo tổng giá hợp đồng DRAM (bao gồm High Bandwidth Memory) và NAND Flash đều sẽ tăng từ 15% đến 20% so với quý trước vào quý 4/2026. Tốc độ tăng giá này chủ yếu do nhu cầu mạnh mẽ kéo dài từ các máy chủ AI và các sản phẩm bộ nhớ tiên tiến. Khi các nhà sản xuất chip chuyển dịch năng lực sản xuất tiên tiến sang HBM và SSD doanh nghiệp cho hạ tầng AI, nguồn cung bộ nhớ cho phần cứng tiêu dùng tiếp tục bị thắt chặt. Sự chuyển dịch này có nguy cơ làm tăng giá thành PC và thiết bị di động tiêu dùng ngay cả khi nhu cầu bán lẻ vẫn còn yếu. Giá hợp đồng DRAM thông thường dự kiến sẽ tăng 10–15%, nhưng khi tính thêm nhu cầu HBM thì tổng mức tăng sẽ đạt 15–20%. Thị phần năng lực sản xuất cho PC DRAM dự kiến tiếp tục thu hẹp sang năm 2027, trong khi SSD tiêu dùng và bộ nhớ nhúng như eMMC hay UFS sẽ có mức tăng giá khiêm tốn hơn do các công ty sản xuất module thu hẹp thu mua.
## KIẾN THỨC NỀN
DRAM (Dynamic Random-Access Memory) đóng vai trò là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên ngắn hạn cho hệ thống, trong khi NAND Flash đóng vai trò là bộ nhớ lưu trữ không mất dữ liệu. High Bandwidth Memory (HBM) là công nghệ DRAM xếp chồng 3D cung cấp băng thông cực cao cần thiết cho các tác vụ AI hiện đại. Universal Flash Storage (UFS) là tiêu chuẩn bộ nhớ flash nhúng được thiết kế để lưu trữ tốc độ cao trên thiết bị di động.