Tesla Được Cho Là Sẽ Nguồn Cung Kép Chip AI5 Từ TSMC (3nm) Và Samsung (2nm)
Tesla được cho là đang áp dụng chiến lược nguồn cung kép cho các chip AI5 sắp tới, trong đó phiên bản do TSMC sản xuất sử dụng tiến trình 3nm FinFET và phiên bản của Samsung sử dụng tiến trình 2nm GAA. Phiên bản của TSMC, được thiết kế với sự hợp tác của Global Unichip Corp (GUC), dự kiến sẽ hoàn thành thiết kế (tape out) trước phiên bản của Samsung một quý. Chiến lược nguồn cung kép này giúp Tesla giảm thiểu rủi ro chuỗi cung ứng cho phần cứng tự lái và robot quan trọng, nhưng sự khác biệt về kiến trúc giữa FinFET và GAA đồng nghĩa với việc Tesla phải quản lý hai thiết kế chip vật lý khác nhau. Điều này cũng làm nổi bật sự cạnh tranh gay gắt giữa TSMC và Samsung trong việc giành các hợp đồng sản xuất chip AI lớn. Do tiến trình 2nm của Samsung dựa trên bóng bán dẫn Gate-All-Around (GAA) trong khi tiến trình 3nm của TSMC sử dụng Fin Field-Effect Transistors (FinFET), phiên bản của Samsung có thể sẽ có chi phí sản xuất cao hơn. Ngoài ra, các báo cáo cho thấy Tesla có kế hoạch tiếp tục chiến lược nguồn cung kép này cho các thế hệ tương lai, chẳng hạn như chip AI6 và AI6.5.
## KIẾN THỨC NỀN
FinFET là thiết kế bóng bán dẫn 3D với cực cổng (gate) bao quanh ba mặt của một kênh dẫn dọc, vốn là tiêu chuẩn công nghiệp cho các tiến trình tiên tiến. GAA (Gate-All-Around) là một kiến trúc mới hơn, bao quanh cực cổng ở tất cả các mặt của các kênh nano nằm ngang, mang lại khả năng kiểm soát tĩnh điện tốt hơn và khả năng thu nhỏ quy mô vượt trội so với FinFET ở các tiến trình dưới 3nm.