SK Hynix ra mắt công nghệ 3D FeNAND nhằm mục tiêu tính toán AI
SK Hynix đã công bố các nghiên cứu chi tiết về công nghệ 3D FeNAND ứng dụng cho tính toán tương tự trong bộ nhớ (A-CiM), được đăng tải trong một bài báo IEEE. Công nghệ này tận dụng các vật liệu sắt điện trong kiến trúc giống 3D NAND để thực hiện các phép tính tương tự trực tiếp. Bước phát triển này giải quyết các nút cổ chai về hiệu suất trong xử lý AI bằng cách giảm đáng kể việc di chuyển dữ liệu giữa bộ nhớ và bộ xử lý. Nhờ sử dụng tính toán tương tự trong bộ nhớ, công nghệ này giúp nâng cao tốc độ xử lý và hiệu quả năng lượng cho các mô hình AI quy mô lớn. Không giống như 3D NAND truyền thống sử dụng lớp nitrua bẫy điện tích (CTN) để giữ điện tử, 3D FeNAND tận dụng trạng thái phân cực ổn định của vật liệu sắt điện để điều khiển dòng điện. Điều này cho phép một ô nhớ duy nhất tạo ra nhiều trạng thái độ dẫn khác nhau, rất phù hợp để lưu trữ dữ liệu trọng số AI.
## KIẾN THỨC NỀN
Tính toán tương tự trong bộ nhớ (A-CiM) kết hợp việc lưu trữ dữ liệu và tính toán trong cùng một nền tảng vật lý, cho phép các phép toán nhân ma trận diễn ra trực tiếp bên trong bộ nhớ bằng tín hiệu tương tự. Bộ nhớ flash sắt điện (FeNAND) tích hợp các vật liệu sắt điện như hafnium dioxide được doping vào kiến trúc flash NAND để khắc phục các hạn chế về độ bền, mức tiêu thụ điện năng và khả năng mở rộng của bộ nhớ flash thông thường.