Samsung ra mắt V10 NAND hơn 400 lớp và ý tưởng bộ nhớ zHBM thế hệ mới
Samsung đã công bố lộ trình bộ nhớ 3D thế hệ mới, giới thiệu V10 BV-NAND đầu tiên trong ngành với hơn 400 lớp và ý tưởng "zHBM" mới giúp xếp chồng bộ nhớ băng thông rộng trực tiếp lên trên các bộ tăng tốc AI. Sự phát triển này giải quyết các nút thắt cổ chai quan trọng trong phần cứng AI bằng cách giảm đáng kể khoảng cách truyền dữ liệu và tăng mật độ bộ nhớ, điều tối quan trọng để xử lý các tác vụ huấn luyện và suy luận AI khổng lồ. V10 BV-NAND đạt mức tăng mật độ 58% so với thế hệ V9 trước đó nhờ công nghệ liên kết phiến bán dẫn (wafer-bonding), trong khi ý tưởng zHBM được tuyên bố là mang lại hiệu suất gấp 8 lần và mật độ gấp 10 lần so với HBM5.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đóng vai trò quan trọng đối với các bộ tăng tốc AI như GPU, nhưng các thiết kế truyền thống thường đặt chúng cạnh bộ xử lý, tạo ra những hạn chế về khoảng cách vật lý. Công nghệ liên kết phiến bán dẫn (wafer-bonding) và xếp chồng 3D cho phép các nhà sản xuất xây dựng bộ nhớ theo chiều dọc, vượt qua các giới hạn không gian vật lý và cải thiện hiệu suất năng lượng.