Samsung hợp tác sản xuất đế logic HBM với TSMC đáp ứng nhu cầu AI tùy chỉnh
Samsung Electronics được cho là đang áp dụng chiến lược song song cho mảng bộ nhớ HBM bằng cách hợp tác với TSMC để sản xuất đế logic (base die) cho bộ nhớ AI tùy chỉnh. Một số khách hàng đã bắt đầu triển khai giải pháp HBM kết hợp giữa chip DRAM của Samsung và đế logic do TSMC gia công. Đây là sự thay đổi chiến lược quan trọng, từ bỏ mô hình chuỗi cung ứng khép kín truyền thống của Samsung để hợp tác trực tiếp với đối thủ gia công bán dẫn hàng đầu. Bằng cách cung cấp tùy chọn đế logic do TSMC sản xuất, Samsung có thể tiếp cận nhiều khách hàng chip AI lớn vốn ưu tiên hệ sinh thái của TSMC cho thế hệ HBM4. Theo chiến lược mới, Samsung vẫn duy trì mô hình tích hợp nội bộ cho các khách hàng chọn đế Samsung, đồng thời tự đảm nhận thiết kế đế logic cho những khách hàng yêu cầu đế của TSMC. Việc chuyển đế HBM4 sang tiến trình gia công tiên tiến giúp giảm tải cho vi xử lý AI chính và cho phép tích hợp các giao diện kết nối die-to-die hiệu năng cao.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) xếp chồng các chip DRAM theo chiều dọc trên một phần đế logic để cung cấp băng thông cực cao cho tính toán AI. Ở các thế hệ HBM trước, phần đế logic được sản xuất bằng tiến trình bộ nhớ tiêu chuẩn, nhưng từ thế hệ HBM4, đế logic chuyển sang các tiến trình logic tiên tiến nhằm tích hợp thêm các chức năng tính toán tùy chỉnh và giao tiếp bán dẫn phức tạp.