Samsung đầu tư 46 nghìn tỷ KRW xây dựng nhà máy HBM mới tại Hàn Quốc
Samsung Electronics đã ký biên bản ghi nhớ với thành phố Asan, Hàn Quốc, để đầu tư 46 nghìn tỷ KRW nhằm mở rộng cụm bán dẫn Onyang của mình. Khoản đầu tư này sẽ tài trợ cho việc xây dựng một cơ sở sản xuất bộ nhớ băng thông cao (HBM) hiện đại và quy mô lớn, dự kiến hoàn thành vào tháng 5 năm 2029. Khi nhu cầu phần cứng AI tăng vọt, việc mở rộng năng lực sản xuất HBM là rất quan trọng để đảm bảo chuỗi cung ứng ổn định cho máy tính hiệu năng cao. Dự án cơ sở hạ tầng dài hạn này giúp Samsung cạnh tranh tốt hơn với các đối thủ như SK Hynix và Micron trong thị trường bộ nhớ AI đầy tiềm năng. Cơ sở mới sẽ sở hữu phòng sạch có diện tích tương đương 4 sân bóng đá, mở rộng tổng diện tích của cụm Onyang từ 270.000 lên 420.000 mét vuông. Việc xây dựng dự kiến bắt đầu vào nửa cuối năm 2026 và dự kiến sẽ tạo ra khoảng 700 việc làm trực tiếp sau khi hoàn thành.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) là công nghệ DRAM xếp chồng 3D hiệu năng cao được thiết kế để cung cấp băng thông lớn hơn đáng kể so với bộ nhớ truyền thống. Đây là thành phần thiết yếu để huấn luyện và vận hành các mô hình AI lớn, dẫn đến sự bùng nổ nhu cầu chưa từng có và làm hạn chế nguồn cung bộ nhớ thông thường trên toàn cầu.