Samsung, SK Hynix và Micron đã phân bổ hết công suất DRAM và HBM đến năm 2027
Ba nhà sản xuất bộ nhớ lớn gồm Samsung, SK Hynix và Micron được cho là đã hoàn tất đàm phán và bán sạch công suất DRAM thông thường và HBM cho đến năm 2027. Do lo ngại tình trạng thiếu hụt nghiêm trọng, các khách hàng hạ nguồn đang tích cực trả tiền đặt cọc trước để đảm bảo nguồn cung. Việc phân bổ trước này làm nổi bật nhu cầu cực kỳ lớn từ các lĩnh vực AI và tính toán hiệu năng cao (HPC), vốn đang được ưu tiên cung cấp bộ nhớ. Hệ quả là các nhà sản xuất điện thoại thông minh và PC sẽ bị giảm đáng kể hạn ngạch DRAM, có thể dẫn đến tình trạng thiếu hụt hoặc tăng giá thiết bị điện tử tiêu dùng. Ba nhà sản xuất lớn ước tính chỉ có thể đáp ứng khoảng 60% đến 70% nhu cầu của các khách hàng hạ nguồn. Thêm vào đó, việc sản xuất HBM tiêu tốn nhiều tấm wafer hơn đáng kể so với DRAM tiêu chuẩn, điều này càng làm thu hẹp nguồn cung bộ nhớ thông thường.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) là công nghệ DRAM xếp chồng 3D hiệu năng cao được thiết kế để mang lại tốc độ truyền dữ liệu vượt trội và tiêu thụ điện năng thấp cho các bộ tăng tốc AI và đồ họa. Do quy trình sản xuất HBM đòi hỏi tỷ lệ tấm wafer trên mỗi chip nhớ cao hơn nhiều so với DDR5 tiêu chuẩn, việc tăng sản lượng HBM sẽ trực tiếp làm giảm năng lực sản xuất DRAM thông thường của toàn ngành.