HBM4E 12 lớp của Samsung được cho là đã vượt qua kiểm định chất lượng của Nvidia
Bộ nhớ HBM4E xếp chồng 12 lớp của Samsung Electronics được cho là đã vượt qua các bài kiểm tra xác minh chất lượng với Nvidia và các doanh nghiệp trung tâm dữ liệu lớn vào cuối tháng 9. Mặc dù các sản phẩm mẫu đã được gửi đi trước đó, khối lượng cung cấp chính thức, quy mô hợp đồng và lịch trình giao hàng vẫn chưa được chốt. Việc vượt qua quy trình kiểm định của Nvidia là bước ngoặt quan trọng giúp Samsung giành lại vị thế trong thị trường bộ nhớ băng thông cao dành cho các bộ tăng tốc AI thế hệ mới. Thành công này có thể đưa Samsung trở lại thành nhà cung cấp chủ lực bên cạnh SK Hynix trong chuỗi cung ứng phần cứng AI đang phát triển mạnh mẽ. Chồng bộ nhớ 12Hi HBM4E dung lượng 48GB kết hợp các die DRAM tiến trình 1c nm với die cơ sở logic 4nm, hỗ trợ tốc độ pin từ 14 đến 16 Gbps. Mẫu bộ nhớ này được cho là giúp cải thiện 16% hiệu suất năng lượng và 14% khả năng tản nhiệt, mặc dù Samsung chính thức tuyên bố 'không thể xác nhận' thông tin kiểm định này.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) xếp chồng nhiều die DRAM theo chiều dọc trên một die cơ sở để cung cấp băng thông dữ liệu khổng lồ cho các bộ xử lý AI hiệu năng cao. Bắt đầu từ HBM4 và HBM4E, các nhà sản xuất bộ nhớ đang chuyển đổi die cơ sở từ tiến trình DRAM truyền thống sang các tiến trình logic dưới 5nm tiên tiến nhằm giảm tiêu thụ điện năng và tăng mật độ kết nối.