Samsung Được Cho Là Dành Nửa Công Suất Đúc 4nm Cho Đế HBM4
Samsung Foundry được cho là đang dành khoảng 50% tổng công suất sản xuất bán dẫn 4nm (SF4) để sản xuất đế (base die) cho bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu (HBM4). Việc chuyển đổi công suất tại các dây chuyền S5 và S6 ở Pyeongtaek nhằm đáp ứng nhu cầu tăng cao từ các khách hàng sản xuất chip AI tùy chỉnh và ASIC. Việc cho phép khách hàng nhúng trực tiếp các mạch logic tùy chỉnh như bộ điều khiển bộ nhớ vào đế HBM4 giúp giải phóng diện tích silicon trên chiplet tính toán AI chính, đồng thời gia tăng hiệu năng xử lý. Động thái này củng cố sự mở rộng mạnh mẽ của Samsung trên thị trường bộ nhớ, nơi thị phần doanh thu HBM của hãng đã tăng lên 38% vào quý 2 năm 2026 khi các khách hàng muốn đa dạng hóa nhà cung cấp. Các đế HBM4 tùy chỉnh được chế tạo trên tiến trình 4nm (SF4) của Samsung tại các nhà máy P2 và P3 ở Pyeongtaek. Bằng cách tích hợp bộ điều khiển bộ nhớ và mạch giao diện PHY lên đế, các nhà thiết kế phần cứng AI và ASIC tùy chỉnh có thể tối đa hóa mật độ tính toán và hiệu suất năng lượng.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) xếp chồng nhiều chip DRAM theo chiều dọc kết nối qua công nghệ xuyên silicon (TSV), nằm trên một lớp silicon nền tảng gọi là đế (base die). Trong khi các thế hệ HBM trước dùng tiến trình bán dẫn cũ chủ yếu để định tuyến tín hiệu, sự chuyển dịch sang HBM4 đòi hỏi các tiến trình logic tiên tiến như 4nm để tích hợp các thành phần tính toán phức tạp trực tiếp vào phân hệ bộ nhớ.