Samsung Được Cho Là Đang Phát Triển HBM 8 Lớp Tùy Biến Cho NVIDIA Với Tốc Độ 17-18Gbps

Samsung Electronics được báo cáo là đang phát triển một sản phẩm bộ nhớ băng thông cao (HBM) 8 lớp tùy biến, được gọi là HBM4E hoặc NVHBM, dành riêng cho NVIDIA. Bộ nhớ này sở hữu thiết kế xếp chồng thấp (low-stack) và hỗ trợ tốc độ pin cao từ 17 đến 18Gbps, vượt qua mức 16Gbps của các mẫu thử nghiệm HBM4E trước đó của Samsung. Sự phát triển này nhằm giải quyết nút thắt cổ chai "bức tường bộ nhớ" (memory wall) trong các bộ tăng tốc AI bằng cách tăng băng thông truyền dữ liệu, đồng thời giảm chi phí sản xuất và cải thiện hiệu suất sản lượng. Nó cũng làm nổi bật lợi thế cạnh tranh của Samsung trong việc cung cấp quy trình phát triển HBM tùy biến toàn diện nhờ sở hữu cả mảng sản xuất bộ nhớ và gia công chip (foundry). Bộ nhớ tùy biến này sẽ sử dụng thiết kế xếp chồng thấp để giảm lượng chip DRAM tiêu thụ. Ngoài ra, NVHBM của NVIDIA và HBM4E tiêu chuẩn được dự kiến sẽ sử dụng các thiết kế base die (đế chip) khác nhau.