~/SEMICONDUCTO/samsung-reportedly-achieves-nearly-80-yield-for-next-generation-hbm4-memory

Samsung được cho là đạt tỷ lệ thành phẩm gần 80% cho bộ nhớ HBM4

Samsung Electronics được báo cáo đã đạt tỷ lệ thành phẩm (yield rate) gần 80% cho bộ nhớ HBM4 thế hệ mới, giúp đẩy nhanh quá trình tăng công suất sản xuất. Cột mốc này giúp Samsung tiến gần đến mục tiêu ban đầu đề ra cho cuối năm 2026, tăng đáng kể so với mức tỷ lệ thành phẩm khoảng 60% khi bắt đầu sản xuất thử nghiệm vào tháng 2. Tỷ lệ thành phẩm cao là yếu tố quyết định cho khả năng thương mại hóa của HBM4, vốn đang có nhu cầu rất lớn trong các bộ tăng tốc AI và tính toán hiệu năng cao. Bằng cách đảm bảo tỷ lệ thành phẩm cao hơn, Samsung có thể phân bổ thêm nhiều công suất đĩa bán dẫn (wafer) DRAM cho HBM4 và cạnh tranh tốt hơn với các đối thủ như SK Hynix và Micron. Samsung có kế hoạch tăng doanh thu bán hàng HBM4 trong quý này lên gấp ba lần so với quý trước, hướng tới mục tiêu HBM chiếm hơn 60% tổng doanh thu HBM của hãng trong nửa cuối năm. Việc tăng công suất này diễn ra trong bối cảnh sản xuất HBM đòi hỏi nhiều công suất wafer hơn đáng kể so với DDR5 tiêu chuẩn, làm giảm nguồn cung DRAM thông thường.

## KIẾN THỨC NỀN

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) là công nghệ DRAM xếp chồng 3D hiệu năng cao được thiết kế để giảm nghẽn cổ chai bộ nhớ trong các bộ tăng tốc AI bằng cách cung cấp băng thông cực lớn. HBM4 là tiêu chuẩn thế hệ tiếp theo, nhân đôi số lượng chân cắm I/O từ 1.024 lên 2.048 để cho phép truyền dữ liệu đồng thời nhanh hơn.

## TÀI LIỆU THAM KHẢO

## TỪ KHÓA

#Semiconductors#HBM4#Samsung#Hardware#AI Infrastructure

$ subscribe --daily

Samsung được cho là đạt tỷ lệ thành phẩm gần 80% cho bộ nhớ HBM4 | Daily News