Samsung dự báo HBM sẽ chiếm 30% công suất wafer DRAM vào năm tới
Phó chủ tịch điều hành Kim Taewoo của Samsung Electronics cho biết Bộ nhớ băng thông cao (HBM) dự kiến sẽ chiếm gần 30% tổng công suất wafer DRAM vào năm tới, tăng từ mức khoảng 20% hiện tại. Vì HBM dùng chung dây chuyền sản xuất wafer với DRAM thông thường, việc chuyển thêm công suất sang HBM để đáp ứng nhu cầu AI tăng vọt có thể làm thắt chặt nguồn cung DRAM tiêu chuẩn. Sự dịch chuyển này có thể dẫn đến việc tăng giá bộ nhớ trên thị trường thiết bị điện tử tiêu dùng và doanh nghiệp. HBM sử dụng công nghệ xếp chồng 3D nhiều khuôn DRAM theo chiều dọc để mang lại tốc độ truy xuất dữ liệu cực nhanh cho các bộ xử lý AI. Thị trường HBM toàn cầu hiện tập trung chủ yếu ở ba gã khổng lồ bán dẫn: SK Hynix, Samsung Electronics và Micron Technology.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) là giao diện bộ nhớ tiên tiến được thiết kế cho tính toán hiệu năng cao và phần cứng AI, những nơi mà giao diện bộ nhớ truyền thống bị giới hạn về tốc độ và băng thông. Sản xuất HBM đòi hỏi diện tích silicon trên mỗi bit lớn hơn và công nghệ tích hợp 3D phức tạp hơn so với DRAM tiêu chuẩn, khiến nó tiêu tốn nhiều công suất wafer hơn đáng kể.