Samsung Foundry Đề Xuất Tiến Trình 5nm Khi Công Suất 4nm Bị Quá Tải
Công suất sản xuất 4nm của Samsung Foundry được báo cáo là đã hoàn toàn quá tải do đơn đặt hàng tăng vọt cho đế cơ sở (base die) HBM4 và chip Groq LPU. Để ứng phó, công ty đang đề xuất tiến trình 5nm như một giải pháp thay thế cho các khách hàng thiết kế chip đang tìm kiếm năng lực sản xuất ở các nút tiến trình tiên tiến. Điều này làm nổi bật nhu cầu cực kỳ lớn đối với phần cứng AI và bộ nhớ băng thông rộng (HBM), gây áp lực lên năng lực sản xuất bán dẫn tiên tiến. Nó cũng cho thấy cách các nhà máy gia công chip tận dụng các nút tiến trình cũ hơn nhưng có liên quan như 5nm để giảm bớt tình trạng nghẽn cổ chai trong chuỗi cung ứng. Vì tiến trình 4nm và 5nm của Samsung thuộc cùng một họ nút công nghệ, phần lớn công suất 5nm trước đây đã được chuyển sang 4nm. Tuy nhiên, Samsung vẫn giữ lại quy trình SF5A (5nm) cho các khách hàng ô tô và hiện đang mở rộng việc sử dụng quy trình này cho các ứng dụng AI và HPC.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) là giao diện DRAM xếp chồng 3D chuyên dụng được sử dụng trong các bộ tăng tốc AI hiệu năng cao, trong đó "đế cơ sở" (base die) đóng vai trò là lớp điều khiển nền tảng. Groq là một startup chip AI nổi tiếng với kiến trúc LPU (Language Processing Unit), đòi hỏi các nút tiến trình tiên tiến để sản xuất. SF5A của Samsung là quy trình 5nm chuyên dụng dành cho ô tô được thiết kế để đạt độ tin cậy cao.