Tồn kho chip nhớ của Samsung và SK Hynix giảm xuống dưới 10 ngày
Công ty chứng khoán Hàn Quốc KB Securities báo cáo rằng tồn kho chip nhớ của Samsung Electronics và SK Hynix trong quý này đã giảm xuống dưới 10 ngày. Sự suy giảm nhanh chóng này khiến hai nhà sản xuất chip nhớ hàng đầu thế giới hầu như không thể gia tăng thêm nguồn cung để đáp ứng các đợt cầu tăng đột biến. Khi đầu tư vào cơ sở hạ tầng AI của các trung tâm dữ liệu siêu lớn dự kiến đạt 1,3 nghìn tỷ USD vào năm 2027, tỷ trọng chip nhớ trong chi tiêu phần cứng này dự kiến sẽ tăng từ 14% năm 2025 lên 57% vào năm 2027. Do đó, tình trạng thiếu hụt nguồn cung DRAM và NAND được dự báo sẽ vượt quá 10% vào năm 2027, làm thay đổi chuỗi cung ứng và đẩy chi phí phần cứng lên cao. Sự chuyển dịch sang bộ nhớ HBM4 là nút thắt chính vì việc sản xuất HBM4 tiêu tốn nhiều diện tích phiến bán dẫn (wafer) hơn đáng kể so với DRAM thông thường và cả HBM3E. Khi sản lượng HBM4 mở rộng, tổng nguồn cung bộ nhớ tính theo dung lượng sẽ chịu áp lực rất lớn, làm trầm trọng thêm tình trạng thiếu hụt cấu trúc trên thị trường.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) là kiến trúc DRAM xếp chồng 3D được thiết kế để cung cấp tốc độ truyền dữ liệu cực nhanh cho các bộ xử lý AI hiện đại. Việc sản xuất HBM đòi hỏi phải đánh đổi năng lực sản xuất, vì một phiến bán dẫn (wafer) HBM thường chiếm chỗ của nhiều wafer bộ nhớ tiêu chuẩn như DDR5.