Samsung và Qualcomm Phát triển Công nghệ Đóng gói Tiên tiến 2.1D Dùng Cầu Hữu cơ
Samsung Electro-Mechanics và Qualcomm đang hợp tác phát triển nền tảng đóng gói tiên tiến 2.1D sử dụng cầu hữu cơ nhúng cho các bán dẫn AI. Hai công ty đã tiến hành nghiên cứu, phát triển và chứng nhận chung cho công nghệ này trong hơn một năm. Bằng cách thay thế cầu silicon bằng vật liệu hữu cơ, phương pháp này giảm chi phí sản xuất so với công nghệ EMIB của Intel đồng thời tránh được các bằng sáng chế độc quyền của Intel. Điều này cho phép các nhà thiết kế chip như Qualcomm sản xuất các bộ xử lý AI đa chip có băng thông cao với chi phí thấp hơn đáng kể. Cầu hữu cơ đóng vai trò là một đế nhỏ được tạo thành từ 5–7 lớp vi mạch bằng quy trình lớp tái bố trí (RDL). Công nghệ này hướng tới bề rộng/khoảng cách đường dẫn 1,5–2µm, kích thước lỗ thông 4–5µm và mật độ đường dẫn 500–1.000/mm, đạt mật độ đi dây và băng thông I/O cao hơn so với đế FC-BGA truyền thống.
## KIẾN THỨC NỀN
Đóng gói tiên tiến (advanced packaging) kết nối nhiều khuôn bán dẫn (die) cạnh nhau hoặc chồng lên nhau trong một gói duy nhất nhằm tăng băng thông kết nối và hiệu năng hệ thống cho các tác vụ AI. Đóng gói 2.1D mang lại kết nối mật độ cao bằng cách sử dụng đế hữu cơ và các cầu nối cục bộ thay vì các tấm trung gian (interposer) bằng silicon đắt đỏ.