Samsung và Broadcom ký hợp tác 200 tỷ USD về HBM và chip 2nm
Samsung Electronics và Broadcom đã ký biên bản ghi nhớ hợp tác 5 năm trị giá hơn 200 tỷ USD kéo dài đến năm 2030. Sự hợp tác này sẽ tập trung vào bộ nhớ băng thông cao (HBM), quy trình đúc chip 2nm trở xuống và các công nghệ đóng gói tiên tiến cho chip AI và mạng. Thỏa thuận khổng lồ này giúp củng cố vị thế của Samsung trong thị trường phần cứng AI đầy cạnh tranh bằng cách đảm bảo một khách hàng lớn cho các dịch vụ đúc chip và bộ nhớ tiên tiến của mình. Nó cũng giúp Broadcom đảm bảo nguồn cung ổn định về HBM tiên tiến và năng lực sản xuất thế hệ mới để vận hành các bộ tăng tốc AI và phần cứng mạng của họ. Thỏa thuận hợp tác bao gồm việc sử dụng quy trình 2nm của Samsung cho các sản phẩm truyền thông băng thông rộng không dây (WBC) của Broadcom. Ngoài ra, sự hợp tác này còn mở rộng sang các công nghệ đóng gói tiên tiến 2.3D và 2.5D để tích hợp chip logic với HBM, giúp tối ưu hóa hiệu suất và hiệu quả năng lượng.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) là kiến trúc DRAM xếp chồng 3D cung cấp thông lượng dữ liệu cao hơn đáng kể và mức tiêu thụ điện năng thấp hơn so với bộ nhớ truyền thống, khiến nó trở nên thiết yếu cho các tác vụ AI. Khi việc thu nhỏ chip truyền thống chậm lại, các công nghệ đóng gói tiên tiến như 2.5D được sử dụng để kết nối nhiều chip (như bộ xử lý và HBM) trên một đế cắm duy nhất nhằm tăng cường hiệu suất.