Renesas Ra Mắt Dòng Bán Dẫn Công Suất GaN 100V E-Mode Điện Áp Thấp Đầu Tiên
Renesas Electronics đã công bố dòng transistor công suất rời GaN chế độ tăng cường (E-mode) 100V điện áp thấp đầu tiên của hãng, bao gồm các mã sản phẩm như RTP100E005G1FL và RTP100E1P2G1FL-DSC. Được thiết kế cho các trung tâm dữ liệu AI, robot nhân hình và tự động hóa công nghiệp, các transistor này giúp tăng hiệu suất nguồn từ 1% đến 3% đồng thời giảm tổn hao đóng cắt từ 40% đến 70% so với thiết kế silicon MOSFET truyền thống. Việc mở rộng sang GaN điện áp thấp giúp Renesas đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng về các linh kiện có mật độ công suất cao trong nguồn cấp điện cho AI và robot vốn tiêu thụ nhiều năng lượng. Nhờ cung cấp kích thước chân cắm tương thích với các MOSFET silicon tiêu chuẩn, các kỹ sư phần cứng có thể nâng cấp dễ dàng hệ thống hiện có sang GaN mà không cần thiết kế lại PCB tốn kém. Dòng GaN mới này đạt mức giảm chỉ số phẩm chất (FOM) khi chuyển mạch cứng tới 35% và khi chuyển mạch mềm tới 63% so với các linh kiện GaN cùng loại trên thị trường. Ngoài ra, các transistor này hoàn toàn loại bỏ tổn hao điện tích hồi phục ngược (Qrr) và sở hữu dạng đóng gói tương thích chân cắm để thay thế trực tiếp cho silicon MOSFET.
## KIẾN THỨC NỀN
Gallium Nitride (GaN) là vật liệu bán dẫn khe băng rộng có khả năng chịu điện trường đánh thủng cao hơn và tốc độ đóng cắt nhanh hơn nhiều so với silicon truyền thống. Các transistor GaN chế độ tăng cường (E-mode) là linh kiện thuộc dạng thường tắt (normally-off), cần điện áp dương tại cực cổng để dẫn điện, giúp vận hành an toàn hơn trong các kiến trúc chuyển đổi nguồn so với biến thể chế độ suy giảm (D-mode).