Neo Semiconductor ra mắt X-SRAM 2T giúp tăng gấp 5 lần dung lượng bộ nhớ đệm
Neo Semiconductor đã giới thiệu X-SRAM, một thiết kế SRAM sử dụng 2 transistor (2T) được tuyên bố là mang lại mật độ lưu trữ gấp 5 lần so với SRAM 6T truyền thống. Kiến trúc này có khả năng nâng dung lượng bộ nhớ đệm (cache) trên chip lên mức gigabyte. Việc thu nhỏ SRAM 6T truyền thống đang gặp bế tắc, tạo ra nút thắt cổ chai cho các tác vụ AI như giải mã suy luận mô hình ngôn ngữ lớn (LLM) vốn đòi hỏi bộ nhớ trên chip dung lượng lớn và tốc độ cao. Nếu được áp dụng rộng rãi, công nghệ này có thể nâng cao đáng kể hiệu năng của các bộ tăng tốc AI và bộ vi xử lý thế hệ tiếp theo. Công ty đã trình diễn bốn cấu trúc ô nhớ X-SRAM khác nhau, trong đó phiên bản "Type B" tương thích trực tiếp với các tiến trình logic GAA Nanosheet tiên tiến hiện nay. Ngoài ra, Neo Semiconductor cũng định hướng phát triển X-SRAM 3D xếp chồng, hứa hẹn tăng dung lượng bộ nhớ đệm lên gấp 20 đến 40 lần.
## KIẾN THỨC NỀN
SRAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh) là loại bộ nhớ nhanh, dễ bay hơi được dùng làm bộ nhớ đệm cho vi xử lý, thông thường cần tới 6 transistor (6T) cho mỗi bit dữ liệu. Khi tiến trình sản xuất bán dẫn ngày càng thu nhỏ, việc thu nhỏ kích thước của SRAM 6T trở nên vô cùng khó khăn. GAA (Gate-All-Around) Nanosheet là một kiến trúc transistor tiên tiến được thiết kế để thay thế FinFET ở các tiến trình dưới 3nm nhằm cải thiện hiệu năng và tiết kiệm điện năng.