Micron dự kiến ra mắt bộ nhớ vHBM và vEIM vào năm 2028
Micron đã công bố kế hoạch trong Hội nghị Công nghệ 2026 về việc giới thiệu hai giải pháp bộ nhớ 3DS mới là vHBM và vEIM vào năm 2028, cùng với tiêu chuẩn HBM5. Các giải pháp này sử dụng công nghệ kết nối hỗn hợp không gờ (bump-less hybrid bonding) để đạt được kết nối mật độ cao và băng thông lớn cho điện toán và suy luận AI biên. Các công nghệ bộ nhớ xếp chồng theo chiều dọc này giúp rút ngắn đáng kể đường truyền dữ liệu, giảm tiêu thụ năng lượng và nâng cao hiệu quả băng thông cho các khối lượng công việc AI đòi hỏi khắt khe. Đây là một bước tiến quan trọng trong kỹ thuật phần cứng khi ngành công nghiệp chuyển dịch sâu hơn sang công nghệ xếp chồng 3D và đóng gói tiên tiến. vHBM xếp chồng theo chiều dọc các lớp DRAM Die, Base Die và chip logic XPU, trong khi vEIM thế hệ đầu tiên hướng tới các tác vụ suy luận AI ở thiết bị biên với mục tiêu đạt băng thông 2 TB/s và hiệu quả năng lượng dưới 1 pJ/bit. Cả hai giải pháp đều sẽ tích hợp các giải pháp quản lý tản nhiệt chuyên dụng.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) là một giao diện RAM hiệu năng cao dành cho DRAM xếp chồng 3D, cung cấp băng thông lớn đồng thời giảm tiêu thụ điện năng và diện tích chiếm chỗ. Kết nối hỗn hợp (hybrid bonding) là một kỹ thuật đóng gói tiên tiến cho phép kết nối trực tiếp giữa đồng với đồng và giữa các lớp điện môi mà không cần các vi cầu (micro-bumps) truyền thống, giúp đạt mật độ kết nối cao hơn nhiều giữa các chip silicon xếp chồng.