Micron Khẳng Định Công Nghệ NVHBM Giúp Tăng Lợi Nhuận Và Băng Thông Bộ Nhớ Cho AI
Micron và NVIDIA đã công bố thông tin chi tiết về NVHBM, một kiến trúc Bộ nhớ Băng thông Cao tùy chỉnh giúp chuyển bộ điều khiển bộ nhớ sang đế nền (base die) của bộ nhớ. So với chuẩn HBM4E thông thường, NVHBM mang lại băng thông bộ nhớ cao hơn tới 30% và giảm 15% mức tiêu thụ điện năng. Việc di dời bộ điều khiển bộ nhớ khỏi vi xử lý chính giúp giải phóng diện tích vi mạch tính toán quý giá, cho phép tăng mật độ xử lý và hiệu suất năng lượng trên các bộ tăng tốc AI. Điều này đánh dấu bước chuyển dịch chiến lược hướng tới việc tích hợp mạch logic tùy chỉnh ngay trong chồng bộ nhớ để giải quyết rào cản nghẽn cổ chai băng thông. NVHBM tích hợp một lớp vật lý (PHY) đầu vào/đầu ra tùy chỉnh trực tiếp trên đế nền, giảm tới 67% diện tích đóng gói cần thiết cho I/O PHY. Micron kỳ vọng kiến trúc này sẽ cải thiện lợi nhuận tổng thể ngay cả khi phải thuê ngoài sản xuất đế nền logic từ các xưởng gia công độc lập.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ Băng thông Cao (HBM) xếp chồng các chip DRAM theo chiều dọc trên một đế nền để cung cấp khả năng truy xuất dữ liệu cực nhanh cho GPU và chip AI. Theo truyền thống, bộ điều khiển bộ nhớ nằm trên vi mạch GPU chính, tiêu tốn diện tích silicon và phát sinh năng lượng tiêu thụ. Các thế hệ tiếp theo như HBM4 và phiên bản tùy chỉnh NVHBM đang tiến tới việc áp dụng các tiến trình sản xuất tiên tiến ngay trên đế nền HBM.