MemSilicon hoànэс quá trình chế tạo thử chip RRAM 1Gb đầu tiên 'Thái Sơn 1'
MemSilicon đã công bố hoàn thành việc chế tạo thử (tape-out) con chip RRAM dung lượng 1Gb đầu tiên mang tên 'Thái Sơn 1', sử dụng quy trình CMOS 28nm và cấu trúc lưu trữ 1T4R. Công ty hiện đang thúc đẩy quá trình kiểm tra và xác thực chip. Sự phát triển này đánh dấu bước mốc quan trọng trong việc đưa công nghệ lưu trữ mật độ cao 1TnR từ giai đoạn nghiên cứu phòng thí nghiệm sang thương mại hóa sản phẩm cấp độ Gb. Nó mang lại một giải pháp cạnh tranh toàn cầu nhằm giải quyết nút thắt 'bức tường bộ nhớ' cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo và trung tâm dữ liệu. Con chip Thái Sơn 1 đạt mật độ lưu trữ 30Mb/mm² với độ trễ truy cập dưới 20 nanosecond, đồng thời tích hợp mạch sửa lỗi phần cứng trên chip. Cấu trúc 1T4R của nó kết nối bốn ô nhớ biến trở thông qua một transistor chọn duy nhất nhằm nâng cao mật độ lưu trữ.
## KIẾN THỨC NỀN
RRAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên điện trở) là một công nghệ bộ nhớ không biến đổi mới nổi, hoạt động bằng cách thay đổi điện trở của vật liệu điện môi để lưu trữ dữ liệu với tốc độ cao và tiêu thụ điện năng thấp. Tape-out (chế tạo thử) là giai đoạn cuối cùng trong quy trình thiết kế mạch tích hợp, trong đó bản vẽ bố trí được gửi đến nhà máy chế tạo để sản xuất, đóng vai trò là bước kiểm tra quan trọng trước khi sản xuất hàng loạt.