Cựu CEO Intel Pat Gelsinger hậu thuẫn startup bộ nhớ Z2RAM Nagare Labs
Cựu CEO Intel Pat Gelsinger đang hậu thuẫn startup bộ nhớ Nagare Labs thông qua quỹ đầu tư Playground Global để phát triển Z2RAM, một công nghệ bộ nhớ AI đột phá nhằm bỏ qua công nghệ quang khắc EUV. Startup này gần đây đã huy động được 5 triệu USD trong vòng gọi vốn hạt giống nhằm chế tạo loại bộ nhớ kết hợp tốc độ của SRAM với mật độ của DRAM. Sự phát triển này giải quyết nút thắt 'bức tường bộ nhớ' nghiêm trọng vốn đang kìm hãm hiệu suất phần cứng AI hiện đại bằng cách cung cấp bộ nhớ mật độ cao, độ trễ thấp mà không phụ thuộc vào các nút quang khắc tiên tiến đắt đỏ. Đây là một hướng tiếp cận thay thế cho các giải pháp bộ nhớ truyền thống như HBM, có tiềm năng định hình lại cục diện ngành công nghiệp bán dẫn. Z2RAM sử dụng vật liệu bán dẫn oxit, quy trình hậu kỳ (BEOL) tiêu chuẩn và các ô nhớ dựa trên bóng bán dẫn để đọc không phá hủy dữ liệu. Nagare Labs có kế hoạch cung cấp các mẫu chip nhớ hoạt động được trong vòng 4 năm tới và thương mại hóa trong thập kỷ tới.
## KIẾN THỨC NỀN
'Bức tường bộ nhớ' đề cập đến khoảng cách hiệu suất ngày càng nới rộng giữa bộ xử lý và tốc độ bộ nhớ, làm hạn chế nghiêm trọng thông lượng tổng thể của hệ thống trong các tác vụ AI đòi hỏi tính toán nặng. Quang khắc EUV (Cực tím sâu) là một quy trình sản xuất tiên tiến, tốn kém cần thiết để in các chi tiết cực nhỏ trên vi mạch, và việc bỏ qua nó có thể làm giảm đáng kể độ phức tạp cũng như chi phí sản xuất.