CXMT Bắt Đầu Thử Nghiệm Sản Xuất Bộ Nhớ HBM3E
Nhà sản xuất bộ nhớ Trung Quốc ChangXin Memory Technologies (CXMT) được cho là đã bắt đầu thử nghiệm sản xuất bộ nhớ HBM3E. Công ty có kế hoạch nhanh chóng mở rộng quy mô, với khả năng bắt đầu sản xuất hàng loạt chỉ trong vài tuần tới. Sự phát triển này đánh dấu một cột mốc quan trọng cho chuỗi cung ứng phần cứng AI nội địa của Trung Quốc, giúp giảm sự phụ thuộc vào các nhà cung cấp nước ngoài đối với các linh kiện tăng tốc AI quan trọng. Tuy nhiên, các nhà phân tích trong ngành lưu ý rằng các nhà sản xuất bộ nhớ Trung Quốc vẫn đi sau các công ty dẫn đầu của Hàn Quốc như SK Hynix và Samsung khoảng hai thế hệ. HBM3E của CXMT dự kiến sẽ có độ rộng băng thông 1024-bit với tốc độ thông thường là 9,6 Gbps, mang lại băng thông lên tới 1,2 TB/s. Công ty cũng đang tích cực mở rộng công suất DRAM, hướng tới mục tiêu đạt 350.000 tấm wafer mỗi tháng vào cuối năm nay nhờ khả năng xây dựng phòng sạch chỉ trong 12 tháng.
## KIẾN THỨC NỀN
Bộ nhớ băng thông cao (HBM) là công nghệ bộ nhớ xếp chồng 3D chuyên dụng được thiết kế để cung cấp tốc độ truyền dữ liệu cực cao cho các phần cứng hiệu năng cao như bộ tăng tốc AI và GPU. 'Sản xuất thử nghiệm' (risk production) là giai đoạn sản xuất ban đầu trong ngành bán dẫn nhằm kiểm tra tính khả thi của thiết kế và tỷ lệ sản lượng đạt chuẩn trước khi tiến hành sản xuất hàng loạt.