Coherent thử nghiệm đế SiC 300mm dẫn nhiệt cao giúp tản nhiệt cho chip AI
Coherent đã bắt đầu gửi mẫu thử nghiệm đế silicon carbide (SiC) 300mm (12 inch) có độ dẫn nhiệt cao cho các đối tác bán dẫn AI. Các tấm đế mới này được thiết kế để cải thiện hiệu suất tản nhiệt lên tới 25% so với các giải pháp hiện tại. Khi các bộ xử lý AI ngày càng mạnh mẽ, việc quản lý nhiệt đã trở thành một nút thắt cổ chai quan trọng đối với hiệu suất phần cứng thế hệ mới. Sự phát triển này có thể nâng cao đáng kể hiệu quả tản nhiệt và độ tin cậy của các chip AI và cơ sở hạ tầng mật độ cao. Các tấm đế SiC 300mm này hướng tới các ứng dụng đóng gói tiên tiến và tấm tản nhiệt, tận dụng độ dẫn nhiệt cao, độ bền cơ học và độ ổn định nhiệt của SiC. Coherent đang sử dụng nền tảng sản xuất 300mm có khả năng mở rộng của mình để sản xuất các vật liệu này.
## KIẾN THỨC NỀN
Silicon carbide (SiC) là một chất bán dẫn hợp chất được sử dụng rộng rãi trong điện tử công suất nhờ khả năng chịu điện áp và nhiệt độ cao. Trong đóng gói bán dẫn tiên tiến, SiC ngày càng được ứng dụng nhiều làm tấm tản nhiệt vì các đặc tính nhiệt vượt trội của nó giúp dẫn nhiệt ra khỏi các đế chip xử lý hiệu suất cao được đóng gói mật độ lớn.