Ra mắt衬底多晶碳化硅 12 英寸 đầu tiên tại Trung Quốc
Công ty Công nghệ Tương lai Titan đã ra mắt衬底多晶碳化硅 (polycrystalline silicon carbide) 12英寸 đầu tiên của Trung Quốc nhằm giải quyết các nút thắt tản nhiệt của chip AI. Sản phẩm này đã vượt qua bài kiểm tra chứng nhận của TSMC và đang được gửi mẫu cho Samsung. Bước đột phá này giải quyết những hạn chế quan trọng về quản lý nhiệt trong phần cứng AI tiên tiến và đóng gói máy tính hiệu suất cao. Việc phá vỡ thế độc quyền của nước ngoài đối với sản xuất多晶碳化硅 kích thước lớn giúp bảo đảm chuỗi cung ứng bán dẫn nội địa và giảm chi phí. 衬底 12 英寸 này đạt độ dẫn nhiệt vượt quá 300W/(m·K), tốc độ lắng đọng 60 micron mỗi giờ và duy trì điện trở suất thấp dưới 1 miliôm-cm. Dự án hiện đang chuyển từ giai đoạn xác thực mẫu sang sản xuất thử nghiệm lô nhỏ, dự kiến thương mại hóa quy mô lớn sau năm 2027.
## KIẾN THỨC NỀN
Silicon carbide (SiC) là một vật liệu bán导体 có dải khoảng cách năng lượng rộng, được sử dụng rộng rãi trong điện tử công suất và các ứng dụng nhiệt độ cao nhờ các tính chất nhiệt và điện vượt trội. Các衬底多晶碳化硅 (polycrystalline silicon carbide) đóng vai trò là đế hỗ trợ dẫn nhiệt cao trong đóng gói tiên tiến để nhanh chóng tản nhiệt do các bộ xử lý AI mật độ cao, công suất lớn sinh ra.