AMD ra mắt bộ tăng tốc AI Instinct MI455X với tiến trình 2nm của TSMC và HBM4
AMD đã tiết lộ thông tin chi tiết về bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo Instinct MI455X, sở hữu tiến trình 2nm GAA của TSMC, 320 tỷ bóng bán dẫn và 432GB bộ nhớ HBM4. GPU mới này được xây dựng trên kiến trúc CDNA 5 và mang lại hiệu suất MXFP4 lên tới 40,26 PFLOPS. Sự kiện này đánh dấu bước chuyển mình của AMD sang công nghệ chiplet 2nm và bộ nhớ HBM4, giúp tăng mạnh băng thông bộ nhớ và sức mạnh tính toán để cạnh tranh với sự thống trị của Nvidia trong thị trường trung tâm dữ liệu AI. Kiến trúc cấp tủ rack Helios mới cũng cho phép AMD đối đầu trực tiếp với các giải pháp tủ rack NVL72 của Nvidia. MI455X sử dụng công nghệ hybrid bonding để xếp chồng bốn die tăng tốc 2nm lên trên các die Fabric và Cache (FCD) 3nm được đóng gói bằng công nghệ CoWoS-L của TSMC. Ngoài ra, kiến trúc CDNA 5 giảm độ rộng wavefront từ 64-bit xuống 32-bit nhằm cải thiện độ trễ lệnh và áp lực lên thanh ghi.
## KIẾN THỨC NỀN
CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) của TSMC là công nghệ đóng gói 2.5D tiên tiến giúp tích hợp nhiều die silicon và bộ nhớ băng thông cao (HBM) trên một đế duy nhất cho tính toán hiệu năng cao. Hybrid bonding là phương pháp đóng gói 3D xếp chồng các die trực tiếp lên nhau nhằm đạt mật độ kết nối cao hơn so với các mối nối microbump truyền thống. HBM4 đại diện cho thế hệ bộ nhớ DRAM xếp chồng tiếp theo, được thiết kế để cung cấp băng thông bộ nhớ khổng lồ cần thiết cho việc huấn luyện các mô hình ngôn ngữ lớn.